可用的形式
条状 / 铸锭 / 块状 / 粉末 / 晶片
应用领域
应用领域
99.999%锑块，锑颗粒，锑棒
1，技术对接：锑与氯气反应生产三氯化锑SbCl3 – 精馏 – 通氢还原 – 锑块 – 氧气保护下制粒;
2，物理性质：
原子量：121.760
电负性：2.05
密度：6.697 g/cm3 (25℃)
熔点：630.63 ℃
沸点：1587 ℃
3，物理性状：粉，块，锭，棒，单晶体；
4，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb，高纯合金，电子致冷元件材料以及锗，硅单晶的掺杂剂；
产品描述
描述
99.999%锑块，锑颗粒，锑棒
1，技术对接：锑与氯气反应生产三氯化锑SbCl3 – 精馏 – 通氢还原 – 锑块 – 氧气保护下制粒;
2，检验：ICP-MS（5N锑的总杂质含量低于10ppm）;
3，服务：提供免费样品，提供MSDS及实用的防护措施，提供应用材料解决方案;
4，物理性质：
原子量：121.760
电负性：2.05
密度：6.697 g/cm3 (25℃)
熔点：630.63 ℃
沸点：1587 ℃
5，规格：
化学纯度：
高纯锑：Sb-05 纯度99.999%以上，银，砷，铋，镉，铜，铁，镁，锰，硅，镍，铅，硫，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯锑：Sb-06 纯度99.9999%以上，银，砷，铋，镉，铜，铁，镁，锰，硅，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯锑：Sb-07 纯度99.99999%以上，银，砷，铋，镉，铜，铁，镁，锰，硅，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm。
6，物理性状：粉，块，锭，棒，单晶体；
7，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb，高纯合金，电子致冷元件材料以及锗，硅单晶的掺杂剂；
8，包装：三层真空包装或充氩气保护；
